Полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре GalnP/AlGalnP с внутрирезонаторной накачкой в квантовые ямы
- Авторы: Елшербини А.А1, Козловский В.И2, Скасырский Я.К2, Фролов М.П2
-
Учреждения:
- Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
- Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
- Выпуск: Том 122, № 3-4 (2025)
- Страницы: 201-207
- Раздел: Статьи
- URL: https://pediatria.orscience.ru/0370-274X/article/view/693466
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0370274X25080148
- EDN: https://elibrary.ru/LGDZUF
- ID: 693466
Цитировать
Полный текст



Аннотация
Исследован впервые реализованный импульсный полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре GaInP/AlGaInP с 25 квантовыми ямами, излучающий на длине волны 642.5 нм при внутрирезонаторной накачке в квантовые ямы излучением лазера на красителе с длиной волны 614.5 нм. Достигнута импульсная мощность ∼ 80 Вт при длительности импульса ∼ 0.5 мкс. Мощность ограничивается процессом разрушения структуры. Обнаружена временная модуляция излучения лазера на красителе с гетероструктурой внутри резонатора с периодом ∼ 6 нс, не равным времени обхода резонатора.
Об авторах
А. А Елшербини
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”Москва, Россия
В. И Козловский
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Москва, Россия
Я. К Скасырский
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАНМосква, Россия
М. П Фролов
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАНМосква, Россия
Список литературы
- Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers.VECSEL Technology and Applications, ed. by M. Jetter and P. Michler, Wiley-VCH, Weinheim, Germany (2021).
- J. Hastie, S. Calvez, and M. Dawson, Semiconductor disk lasers (VECSELs), in A. Baranov and E. Tournie (editors), Semiconductor lasers: fundamentals and applications, Woodhead Publishing Limited, Sawston, Cambridge (2013).
- Semiconductor Disk Lasers: Physics and Technology, Ed. by O. G. Okhotnikov, Wiley-VCH Berlin, Germany (2010).
- M. Guina, A. H¨ark¨onen, V.-M. Korpij¨orvi, T. Leinonen, and S. Suomalainen, Advances in Optical Technologies 2012, 265010 (2012).
- H. P. Kahle, M. Jetter, and P. Michler, Optically Pumped Red-Emitting AlGaInP-VECSELs and the MECSEL Concept, in Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers, ed. by M. Jetter and P. Michler, Wiley-VCH, Weinheim, Germany (2021).
- D. Priante, M. Zhang, A. R. Albrecht, R. Bek, M. Zimmer, and C. L. Nguyen, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 28(1), 1700407 (2022).
- C. M. N. Mateo, U. Brauch, H. Kahle, T. Schwarzback, M. Jetter, M. A. Ahmed, P. Michler, and T. Craf, Opt. Lett. 41(6), 1245 (2016).
- В. И. Козловский, С. М. Женишбеков, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, Квантовая электроника 53(12), 891 (2023) [Bull. Lebedev Phys. Inst. 51(S3), S191 (2024)].
- Y. Matsuoka, J. Phys. D: Appl. Phys. 9, 215 (1976).
- В. С. Владимиров, Уравнения математической физики, Наука, М. (1971), с. 260.
- http://www.matprop.ru/GaInP.
- S. D. Jacobs, D. G. Angeley, D. S. Smith, and J. C. Lambropoulos, Thermal conductivity measurements of dielectric thin films on optical substrates. Annual Meeting Optical Society of America Technical Digest Series, Optica Publishing Group, Seattle, Washington United States (1986), p. TUR4.
Дополнительные файлы
